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                                        JB／T 7621--94  
                              機械工業(yè)部．1994-12-09批準 1995—O6—O1實施
1 主題內(nèi)容與通用范圍 
 本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術(shù)要求、測試方法和規(guī)則。 
 本標準適用于去離子處理后的高純水。 
2 引用標準 
 GB11446電子級水及其檢測方法
3術(shù)語 
3．1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity 
 在規(guī)定溫度下，1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數(shù)。電導率通常以μS/cm為單位。水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。
3．2電阻率 resistivity 
 電導率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。
3．3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance 
 除氣體以外，以非液態(tài)形式分散在水中，并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。
3．4總有機碳(TOC)total organic carbon 
 水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊化的有機物。
3．5總固體 total solid 
 水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。
3. 6全硅 total silicon 
 水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3．7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規(guī)定限制的很純凈水 
3．8原水raw watcr 
 純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。
3．9終端 terminal。 
 高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道沖化工藝后，水的出口使用地點。可分別稱為制水終端和用水
3．10微量micro-amount 
 試樣量在1mg左右。
3．11 痕量 trace amount
 試樣量在1μg左右。
3．12百萬分之一(ppm) part per million 
重量比的量，相當于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中，一殷也認為相當每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(shù)(mg／L)。
3．13十億分之一(ppb)part per billion
重量比的單位，相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)，在水質(zhì)分折中，一般認為相當于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(shù)(μg／L)。

4高純水的級別 
4．1高純水可分為電子級高純水和普通高純水，分別用符號EH和pH標志
4. 2電子級高純水
4．2．1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點：
a．具有精細圖形結(jié)構(gòu)；
b．對器件表面有特殊要求；
c．工藝對水質(zhì)有特定的嚴格要求。
4．2．2電子級高純水分為兩個級別：特級和I級。它們的標志分別是：
特級電子級高純水：EH—T
一級電子級高純水：EH—1
4．3普通高純水
4．3．1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。
4．3．2普雙高純水分為三個級別：Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是：
I級普通高純水：pH—Ⅰ
x級普通高純水：PH—Ⅱ
m級普通高純水：pH—Ⅲ
4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。

5技術(shù)要求
5．1電子級高純水
5．1．1電子級高純水應考核四項內(nèi)容：
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)；
b．水中懸浮微粒的數(shù)量和大小；
C. 水中有機物總量；
d. 水中細菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級高純水的各項技術(shù)指標由表1給出。
表l

5．2普通高純水 
5．2．1普通高純水主要考核其電阻率。 
5．2．2普通高純水的技術(shù)指標由表2給出。 
 表2 

6測試方法和檢驗規(guī)則 
6．1電阻率測試方法 
6．1．1用電導率儀測量高純水電阻率時： 
 a．電導池常數(shù)選川0.1—0.01cm-1； 
 b．被測高純水應處于密封流動狀態(tài)，避免任何氣體混入，流速不低于0．3m/s。
6．1．2在t℃時測得的電阻率值ρt，用下式換算成25℃的電阻率ρ25 
　　　　ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中：ρ25——２５℃時的電阻率ＭΩ.ＣＭ
　　　ρt——t℃時的電阻率ＭΩ.ＣＭ
　　　Gt——t℃時理論純水的電導率μＳ／ＣＭ，其值見附錄Ａ；
　　　αt——t℃時修正系數(shù)，其值見附錄Ａ；
　　　0.05482——t℃時理論純水的電導率μＳ／ＣＭ。
6.2其他技術(shù)指標測量方法
　　執(zhí)行ＧＢ１１４４6.5~11446.11中有關(guān)規(guī)定。
6．3檢驗規(guī)則
6．3．1各個級別高純水的電阻率為經(jīng)常必測項目。
6．3．2對電子級高純水，用水單位還應根據(jù)生產(chǎn)要求制定對微粒數(shù)、痕量金屬、細菌、有機物及二氧化硅等各項技術(shù)指標的檢驗規(guī)則。
6．3．3制水工藝條件改變時，應及時對表1或表2中各項技術(shù)指標全面檢驗。
6．3．4所有測量均應在制水終端和用水點兩處測量。制水終端水的質(zhì)量稱為制水水質(zhì)；用水點水的質(zhì)量稱為用水水質(zhì)。對普通高純水，用水水質(zhì)和制水水質(zhì)應在同一級別上。對電子級高純，主要檢驗用水水質(zhì)，但應給出制水水質(zhì)作參考。制水水質(zhì)還用于檢驗制水設(shè)備和技術(shù)。
6．4檢驗標志
在高純水制水終端和用水點按要求進行檢驗后，若水質(zhì)合格，應附標有下列內(nèi)容的檢驗合格證：
　　a．高純水的級別標志；
　　b．要求檢測的技術(shù)指標及測量結(jié)果；
　　c. 制水單位；
　　d．連續(xù)供水開始日期(普通高純水可無此項)；
　　e．檢驗員簽章及檢驗日期。

7取樣、存貯和運輸
7. 1. 高純水的取樣
7．1．1盛水容器必須使用塑料或硬質(zhì)玻璃容器。用于測定硅或分析痕量成分時。必須使用聚乙烯等塑料容器。
7．1．2取樣前，盛水容船應預先用洗滌劑清洗干凈，再用鹽酸(1十1)或10％硝酸溶液浸泡48H(分析陰離子用的容器除外)，然后用高純水沖洗干凈，再用高純水浸泡不少于6h。臨取樣時，用待測高純水沖洗容器小少于10次、方可取樣。
7．1．3采集水樣時，應先把管道中的積水放盡，并沖放5—10min，在流動狀態(tài)取樣。以保證水樣有充分的代表性。
7．1．4取樣的體積約為容器體積的0.6—0.8，不得太滿。取樣后。應迅速把容器蓋嚴。
7．1. 5細菌分析采樣容器必須經(jīng)過高溫消毒處理。
7．2 高純水的貯存與運輸
7．2．1分析高純水中的陽、陰離子時，采集的水樣可存放72H。細菌檢驗時，水樣存放時間不得大于4H。
7．2．2高純水在貯存和運輸時，應檢查容器益是否密封嚴密。裝有水樣的容器不能在太陽下曝曬或放在高溫處。冬天要注意防凍。
7. 2．3高純水在貯存和運輸過程中；應定時記錄時間、溫度和氣候條件等。

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